Горит мосфет-драйвер и сам мосфет заодно. Источники питания и силовая электроника.
Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча. Через минут 5-10 смотрю — лазер горит(!), в схеме были еще 3 . Выбирайте по доступным ценам драйверы MOSFET и IGBT оптом и в розницу. Осуществляем доставку в любой город РФ, а также доступен самовывоз.
IR2. 10. 1 рабочая схема включения драйвера MOSFET ключей. Драйвер MOSFET ключей IR2. Драйвера На Ноутбук Hp Probook 4545S здесь. Типовая схема включения, предложенная в документации IR2. По крайней мере в моем случае.
Типовая схема включения IR2. Эмпирическим путем, уничтожив несколько микросхем, схема была доведена до рабочего состояния. Рабочая схема включения IR2. Пояснения по схеме. D2, R3 – после добавления этих двух элементов микросхемы IR2. C1, C2 – обычно использую два конденсатора один электролитический, другой керамический.
Рекомендую применять конденсаторы с рабочим напряжением не меньше напряжения VD. R4, R5 – резисторы “привязывают” к земле входа микросхемы на случай “отвала” управляющего сигнала. D3 – последняя микросхема была сожжена банальной “переполюсовкой”, поэтому диод по питанию добавлен не случайно. Увы, но IR2. 10. 1 так же сгорает при не правильной полярности питания. C3, C4 – фильтры по питанию. Значение С3 зависит от нагрузки.
В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего. Драйвер MOSFET ключей IR2101 имеет свойство иногда выходить со строя, по попросту говоря, гореть. Типовая схема включения . K9A2 CF-F горит транзистор питания процессора. 2и3 фаза управляется непосредственно шимом ISL6323, а 4фаза- драйвером. Ссылка на еще вариат драйверов верхнего и нижнего ключей на рассыпухе: http:// Ссылка на предыдущее видео с . Мощные транзисторы MOSFET хорошо известны своей исключительной.
При выборе С3 подходит принцип чем больше, тем лучше. Вот так выглядит сгоревшая IR2. Обратите внимание на характерную пробоину в корпусе микросхемы. Надеюсь, кому то поможет мой опыт.
Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3. Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал.
Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал- Оксид- Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.
Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.
Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора. Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии.
В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься. МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные.
Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру. Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т. Обладая не сильно габаритным корпусом TO- 9.
А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0. Ома. Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7.
А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку. Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 1. МК может выдать максимум 5. Тут вариантов три: На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2. Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые).
Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных.
Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча. Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL6.
A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.
Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно. Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или ID выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 1. Следующий важный для тебя параметр это VGS — напряжение насыщения Исток- Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость ID от VDS при разных значениях VGS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.
Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 1. А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF6. По току подходит с запасом 9. А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику: Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8.
А падение напряжения на транзисторе составит около 4. В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4. Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5.
А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I2. R. При 8 амперах и 0. Оме потери составят 3. Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL6. При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт.
Что даст нам 0. 3. Ом и 2. 3Вт потерь, что заметно меньше. Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или ton,toff, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора Ciss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие.
Если постоянная времени будет меньше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение. При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО.
Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги : ).