Принимая . Дистанционное определение мест повреждений ЛЭП методами активного зондирования. Дискретность анализируемых участков ЛЭП определяется параметрами зондирующих сигналов и составляет. Значения рефлектограммы (эхограммы, дальностного портрета ЛЭП) в общем случае комплексные. На практике интересуются амплитудными значениями и их зависимостью на протяжении длины ЛЭП, характеризующими изменения волнового сопротивления (коэффициента отражения) вдоль линии. Пример такой зависимости (рефлектограммы) приведен на фиг. Как правило, модель ЛЭП представляется в виде одного или совокупности многополосников.
При этом многополосник может быть представлен через совокупность элементарных четырехполосников. Рассмотрим упрощенный пример, когда ЛЭП представлена множеством последовательно соединенных четырехполосников. Такой пример широко используют в учебно- методической практике . Определение мест короткого замыкания на линиях с ответвлениями.
От значения комплексного коэффициента отражения отдельного i- го участка ЛЭП зависят значения комплексных отсчетов рефлектограммы, соответствующих расстоянию (i. Определение численных значений четырехполосника заданной конфигурации (схемы) может производиться, например, путем решения задачи синтеза цифрового фильтра указанной конфигурации (схемы) по заданной частотной характеристике.
Решение таких задач приведено в широко распространенной литературе, например, в . Справочник по расчету фильтров: Пер.
Считаем, что в соответствии с . Волновые процессы и электрические помехи в многопроводных линиях высокого напряжения. Расчет переходных процессов в электрических системах на ЭЦВМ. На фиг. 2 цифрами 1 обозначены элементы задержки; 2 - сумматоры; 3 - блоки умножения. Индексы блоков умножения 3i соответствуют номеру блока i дискретной модели. Реализация процедур активного зондирования ЛЭП приводит к получению информации относительно комплексных отсчетов рефлектограммы Uотр(n- 2)=Uобр(1,n) при заданном значении Uзонд(n). Эта информация позволяет осуществить расчет комплексных коэффициентов распространения волн по ЛЭП.
При этом вычисления выполняются по итерационной схеме. При прохождении первого отсчета зондирующего сигнала имеем.
Uотр(1)=Kпр(1,f). Расчет мнимой части реализуется с использованием равенства согласно выражению.
Для отсчетов рефлектограммы со второго по четвертый справедливы следующие соотношения. Uотр(2)=Kпр(1,f). Уточнение может быть осуществлено путем усреднения первого, второго, третьего и четвертого значений Kпр(1,f). Таким образом в последующем находятся комплексные коэффициенты распространения Kпр(i,f) и Kобр(i,f) в прямом и обратном направлении для каждого из блоков модели ЛЭП. Для пятого отсчета рефлектограммы имеем.
Uотр(5)=Kпр(1,f). Именно эта зависимость позволяет реализовать синтез эквивалентного четырехполосника (фильтра), соответствующего блоку распределенной модели ЛЭП. Более точную и полную зависимость коэффициентов Kпр(i,f) и Kобр(i,f) можно отыскать, представляя каждый из них массивами данных, полученных путем реализации описанных выше итерационных процедур, на основе последовательного активного зондирования гармоническими сигналами разных частот. Количество, интервал и конкретные значения частот зондирующих сигналов выбираются исходя из анализируемого спектрального диапазона, а также адекватности последующего представления широкополосных сигналов произвольной формы моделью ЛЭП. Таким образом, получив массив данных, например Kпр(i,f) в заданном диапазоне частот для конкретного блока i, фактически имеем частотную характеристику анализируемого блока i. В последующем по заданной частотной характеристике строится эквивалентная электрическая схема в соответствии с формальными процедурами . Справочник по расчету фильтров: Пер.
Структура фильтра выбирается исходя из соображений наиболее адекватного эквивалентирования участка ЛЭП, а также принятых стандартов эквивалентирования ЛЭП (П- образные и Т- образные схемы) . Теоретические основы электротехники. В частности, такая актуализированная цепочечная модель ЛЭП дает возможность оценивать и учитывать изменения сопротивления земли, которое участвует в расчетах при ОМП по ПАР.